 |
|
Тестове по ЕППЕ
|
Тест No.5 |
|
1. От какво се определя s I? |
|
|
Тест No.12 |
|
1. Как се изменя подвижността на ткн с увеличаване на концентрацията на примесите |
|
| Тест No.?? | |
|
1. Еквивалентна схема на транзистор при ВЧ |
|
|
2. Разпределение на концентрациите на ткн |
|
|
3. ?? |
|
|
4. ?? |
|
|
5. Обяснете обемната неустойчивост на GUN диод |
|
|
6. Схема с N-индуциран канал на MOS транзистор |
|
|
7. Изходна х-ка на БПТ при ОБ |
|
|
8. Да се определи графично h21 при схема ОЕ |
|
|
9. Начертайте ПЕТ в разрез на NPN БПТ |
|
|
10. Максимална мощност на диод |
|
|
11. Какво е TKU(e ) при лавинен пробив |
|
|
12. PNP транзистор в интегрално изпълнение |
|
| Тест No.?? | |
|
1. Енергия необходима за разкъсване на ковалентни връзки |
|
|
2. Технологична структура на PN-преходен диод |
|
|
3. Основна характеристика на варикап. От какво се определя Q |
|
|
4. Дефинирайте понятието неосновни ткн. Изразете графично изменението на тока |
|
|
5. У-ние на ВАХ на реален диод. Начертайте на една к.с. ВАХ на GaAs, Si, Ge |
|
|
6. Основни режими на работа на БПТ |
|
|
7. Дефинирайте h-параметрите на БПТ като ЧП в ОЕ |
|
|
8. Дефинирайте ft. Покажете графичния и смисъл |
|
|
9. Напишете у-нието на Ic в ОЕ |
|
|
10. ВАХ на тиристор. Схематична скица на тиристор с подадени напрежения |
|
|
11. Технологична скица на PIN-фотодиод |
|
|
12. Изходни и проходни х-ки на MOS транзистор с вграден канал |
|
| Тест No.?? | |
|
1. Даден е PN-преход. Поставете посоката на четирите тока |
|
|
2. ВАХ в обратна посоко на Si и Ge диод |
|
|
3. Дифузен капацитет на PN-преход. Деф, заряди които го формират, фактори на вл. |
|
|
4. Начертайте ВАХ на изправителен PN-преход, Шотки диод и Si диод в/у обща кс |
|
|
5. ??? |
|
|
6. Технологична схема на NPN транзистор |
|
|
7. Дефинирайте fa и fb и връзката между тях |
|
|
8. Начертайте диаграмата на Rt |
|
|
9. h-параметри |
|
|
10. Напрежение на стабилзация на опорен диод |
|
| Тест No.?? | |
|
1. ??? |
|
|
2. ВАХ на Ge и Si диод в обратна посока |
|
|
3. Топлинно у-ние на PN-преходи |
|
|
4. ВАХ на Si и Шотки диоди |
|
|
5. Трябва да се стабилизира в права посока напрежение 0,3-0,5V. Какъв транзистор? |
|
|
6. У-ние на изходния ток в ОК в активен режим |
|
|
7. Бариерен капацитет |
|
|
8. ВАХ на зелен и инфрачервен светодиод |
|
|
9. Пускова х-ка на тиристор |
|
|
10. ВАХ и зонна диаграма на инверсен диод |
|
|
11. Изходни х-ки на MOS транзистор с индуциран N-канал при 250 и при 500 |
|
|
12. fa - определение и графика |
|
| Тест No.?? | |
|
1. Каква е посоката на дрйфовите и дифузните токове |
|
|
2. Опорен диод: при какво напрежение има стабилизация |
|
|
3. Зонна диаграма на GaAs |
|
|
4. Технологична структура на ПЕТ |
|
|
5. h-параметри |
|
|
6. Тиристор: дадено dUa/dt и dIa/dt – какво представляват |
|
|
7. ВАХ на светодиод: GaAlAs и GaP |
|
|
8. Фоторезистор – зависимот на тока от светлинния поток |
|
|
9. Изходни х-ки на MOS транзистор с ??? |
|
|
10. БПТ изходни х-ки в ОЕ |
|
|
11. 5 схеми на свързване на транзистор като диод |
|
| Тест No.8 | |
|
1. Собствена концентрация на електрони при стайна t |
|
|
2. у-ние на ВАХ на реален диод |
|
|
3. Знак на TKU при лавинен пробив |
|
|
4. Еквивалентна схема на диод при ВЧ |
|
|
5. Z-параметри |
|
|
6. От какво зависи периода на GUN диод и каква е граничната му честота |
|
|
7. NPN БПТ в интегрално изпълнение и еквивалентна схема |
|
|
8. h-параметри |
|
|
9. Какви h-параметри могат да се отчетат при дадена входна характеристика |
|
|
10. ВАХ на тиристор |
|
|
11. Светодиод – разлика м/у лазерни и ПП светодиоди |
|
|
12. Q-фактор на варикап |
|
| Тест No.4 | |
|
1. Зонни диаграми на Ge и GaAs |
|
|
2. Начертайте изходна позиция м/у зонна диаграма на метал и Si за получаване на неизправящ контакт |
|
|
3. ВАХ на опорен диод за 3V и 15V при 200 |
|
|
4. Входни х-ки на БПТ ОБ |
|
|
5. PIN-диод: определение, еквивалента схема & право свързване |
|
|
6. Y-параметри на БПТ |
|
|
7. Схема на Джаколето |
|
|
8. Начертайте динамични товарни прави по пост. и променлив ток в изх, х-ки в ОЕ |
|
|
9. Начертайте проходни х-ки на MOS тр. P канал за 2 различни температури |
|
|
10. ВАХ на фотодиод и технологичната му структура |
|
|
11. Структура на интегрален NPN транзистор и екв. Схема |
|
|
12. Изходни х-ки на MOS тр. с P-инд. |
|
|
Тест No.10 |
|
|
1. Кой транзистор има най-голяма концентрация на ткн при стайна t |
|
|
2. Какъв е капацитета при обр. включен PN-преход |
|
|
3. ВАХ на Шотки и Si диод в обща к.с. |
|
|
4. Съставете зонна диаграма на контакт метал-пп |
|
|
5. Проходна х-ка на MOS с P и N вграден канал |
|
|
6. Изходна х-ка на фотодиоди |
|
|
7. Скица на SIP MOS |
|
|
8. Интегрален резистор |
|
|
9. Напречен разрез в интегралната структура на полеви транзистор с вграден канал |
|
направен от Дилян Чернев, 1998 - 2009